Fecha de lanzamiento Q1'11
Lectura secuencial 270 MB/s
Escritura secuencial 90 MB/s
Lectura aleatoria (8 GB de amplitud) 38000 IOPS
Lectura aleatoria (100% de amplitud) 38000 IOPS
Escritura aleatoria (8 GB de amplitud) 10000 IOPS
Escritura aleatoria (100% de amplitud) 300 IOPS
Latencia - Lectura 75 µs
Latencia - Escritura 90 µs
Alimentación - Activa 150 mw (MobileMark 2007 Workload), 2.5 W (64K Sequential Write)
Alimentación - Inactiva 100 mw (DIPM), .7 W (Non-DIPM)
Vibración - Operativa 2.17 GRMS (5-700 Hz)
Vibración - No operativa 3.13 GRMS (5-800 Hz)
Impacto (operativo y no operativo) 1,500 G/.5 msec
Temperatura de funcionamiento 0 - 70 C
Peso up to 88 ± 2 grams
Tiempo medio entre fallos (MTBF) 1,200,000 Hours
Tasa de errores de bits no corregibles (UBER) 1 sector per 1016
-Package Specifications
Componentes Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology
Capacidad 80 GB
Formato 2.5 inch SATA
Interfaz SATA - 3.0 Gb/s
Litografía 25 nm
-Advanced Technologies
Protección mejorada de pérdida de alimentación Ye
