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SAMSUNG SSD 2.5 250GB SERIE 850 EVO

Oferta

LA TECNOLOGÍA 3D V-NAND ES LA NUEVA ARQUITECTURA DE LAS MEMORIAS FLASH UNICA Y EXCLUSIVA DE SAMSUNG, QUE SUPERA LA LIMITACIÓN DE LA DENSIDAD Y LA RESISTENCIA DE LA ARQUITECTURA NAND CONVENCIONAL.


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TOP 2 ( 17-10-19 )
LA TECNOLOGÍA 3D V-NAND ES LA NUEVA ARQUITECTURA DE LAS MEMORIAS FLASH UNICA Y EXCLUSIVA DE SAMSUNG, QUE SUPERA LA LIMITACIÓN DE LA DENSIDAD Y LA RESISTENCIA DE LA ARQUITECTURA NAND CONVENCIONAL.
Los nuevos Samsung SSD 850 EVO de mayor calíbre con una mejora de rendimiento y resistencia.

Características:

Tecnología 3D V-NAND
3D V-NAND es la nueva arquitectura de las memorias flash unica y exclusiva de Samsung, que supera la limitación de la densidad y la resistencia de la arquitectura NAND convencional. 3D V-NAND se fabrica ampliando 32 capas de células verticalmente una sobre la otra, en lugar de disminuir las dimensiones de las células.
TurboWrite
Lograr el mayor rendimiento de lectura/escritura no es una taréa facil. De esta manera Samsung a introducido en la tecnología TurboWrite que ofrece un 10% mas de rendimiento en un SSD 850 EVO que cualquier usuario con un SSD 840 EVO. El 850 EVO ofrece una velocidad superior, 540MB/s de lectura y 520MB/s de escritura.
Modo RAPID
El software Magician de Samsung hace que su SSD rinda al maximo, gracias a su incremento en la memoria caché de hasta 4GB.
AES256
El 850 EVO viene fortificado con el ultimo motor de cifrado basado en hardware. la tecnología de encriptación AES 256bits protege los datos sin ninguna degradación del rendimiento y cumple con TCG Opal 2.0. Tambien es compatible con es estandard Microsoft IEEE1667 lo que sus datos estaran siempre protegidos.

Especificaciones:

Capacidad 250GB
Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)
Interfaz
SATA 6Gb/s
SATA 3Gb/s
SATA 1.5Gb/s
Formato 2.5 inch
Controller 250: Samsung MGX controller
NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND
DRAM Memoria Caché 512MB (250GB)
Rendimiento
Lectura Secuencial Max. 540 MB/s
Escritura Secuencial Max. 520 MB/s
4KB Lectura Aleatoria(QD1)
Max. 10,000 IOPS
4KB Escritura Aleatoria (QD1)
Max. 40,000 IOPS
4KB Lectura Aleatoria (QD32)
Max. 97,000 IOPS(250GB)
4KB Escritura Aleatoria (QD32)
Max. 88,000 IOPS(250GB)
Cifrado AES 256-bit Encriptado completo (FDE)
TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)
Peso. 66g
VIda Utíl MTBF: 1.5 million hours
TBW 250: 75TBW
Idle: Max. 50mW
Modo Hibernación: 2mW(250GB)
Temperatura
Operativa: 0°C to 70°C
No-Operativo: -40°C to 85°C
Humedad
5% a 95% No-condensada
Vibración no operativo: 20~2000Hz, 20G
Golpe No operativo: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis


PVP actualizado por APP Selecciona tu Tienda APP_ el día 18/10/2017 02:41. Lleva incluido todos los impuestos, IVA, IGIC y otros. Confirmar precio en tienda. Ofertas vigentes del 02/10/2017 al 30/10/2017

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